- Doller 加入到 Nantero 持续发展的、世界级的咨询委员会，该委员会包含 TSMC、 Intel、 Hitachi、 Sony、 Apple 以及更多公司先前的高级管理人员
- NRAM 存储器阵列性能和可靠性会在下周在日本举办的 SSDM 2015 会议上由日本中央大学的 Ken Takeuchi 教授发表的技术论文中得到验证
麻萨诸塞州沃本 —— 2015 年 9 月 24 日 —— Nantero，碳纳米管电子元件的全球领导者今日宣布，将任命著名的存储器行业经理主管人员 Ed Doller 为其咨询委员会成员。 Ed 先前是副总裁 ；他是 Micron NAND 解决方案部的首席战略师，同时也担任副总裁；他还是GM 企业存储事业部高管和副总裁；首席存储器系统架构师。 此外，Nantero 还宣布了这种新一代超快速、高密度存储器(NRAM™)的阵列由日本中央大学独立测试，并且其卓越的性能和可靠性的结果将在 2015 年固态设备和材料（SSDM）国际会议上发表的技术论文中展示。
Nantero 的联合创始人、CEO 和总裁 Schmergel 说道：“Ed Doller 拥有丰富的行业经验并深入了解存储器设备水平和系统水晶，他将为我们的咨询委员会带来颇具价值的全新维度。” “随着 Nantero 持续构建的势头和我们与多个客户持续合作将 NRAM 引进市场的势头越来越旺，我们非常高兴看到我们的存储器性能得到了一些权威专家，如 Professor Takeuchi 的独立验证。”
关于 Doller 先生
Doller 先生在 2010 年由于 Numonyx 收购而加入 Micron 担任副总裁；他在 2008 年公司形成时担任首席技术官。 在加入 Numonyx 之前，他曾在 Intel 的闪存存储器部门工作了 15 年，并于 2004 年被任命为首席技术官。 在任职于 Intel 之前，Doller 先生曾在纽约州东菲什基尔的 IBM 工作了 9 年， 并担任了高级半导体存储器方面的若干重要职位。 他拥有多项专利，是《 IEEE 浮栅标准》的合著者他擁有多項專利，经常在存储器研讨会上担任主讲嘉宾。
“Nantero 的下一代 NRAM 存储器有一个独特的价值主张，即对各种应用程序和终端用户极具吸引力，尤其是那些考虑非易失性存储器和快速的 DRAM 是如何允许他们重新考虑系统架构的，”Ed Doller 说道。 “我非常兴奋可以加入Nantero 的咨询委员会，并且成为他们世界级的、与
多行业领导者都有合作关系的团队的一员。”
关于 SSDM 论文
9 月 30 日周三在 SSDM 会议上，日本中央大学教授 Ken Takeuchi 和几位合著者将发表一篇与 Nantero 的 NRAM 有关的论文，标题为《对碳纳米管存储单元阵列程序特征的调查分析》。Takeuchi 博士是日本中央大学电气、电子、通信工程、自然科学和工程系的一个教授，并且之前引领 Toshiba 的 NAND 闪存存储电路设计长达 14 年。 他设计了六代全球最高密度的 NAND 闪存存储产品，例如 0.7µm 16Mbit、0.4µm 64Mbit、 0.25µm 256Mbit、0.16um 1Gbit、 0.13µm 2Gbit 以及 56nm 8Gbit NAND 闪存存储器。 他拥有全世界 210 项专利，其中包括 109 项美国 专利。 随着他的发明，在 1997 年超大规模集成电路研讨会上提出了“多单元结构”， 2001 年他成功地将世界上第一个多级单元 NAND 闪存存储器商业化。
关于 Nantero
作为碳纳米管电子元件的全球领导者，Nantero 已开发出新一代存储器 NRAM™（非易失性随机存储器），可在消费电子产品和企业电子产品中打造各种令人惊叹的新功能和产品。 这种新型超快速、超高密度的存储器可以取代单芯片中的 DRAM 和闪存，或可将新应用程序用作存储级存储器，同时具有推动下一波电子产品创新所需的低功耗、高速度、可靠性和耐久性特征。 访问 Nantero 网站 www.nantero.com，或在 Twitter @nantero 上关注 Nantero。
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更多信息：
Kelly Karr
Nantero 公共关系
kelly@nantero.com
版权所有 2015 Nantero, Inc. 保留所有权利。 Nantero 和 Nantero 标志是 Nantero, Inc. 的商标和/或注册商标。
Meta Description: Ed Doller 拥有丰富的行业经验并深入了解存储器设备级和系统层级，将为我们的咨询委员会带来颇具价值的全新维度。
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