在纳米技术方面的进步
Nantero 的 NRAM® 利用纳米技术的尖端研究和碳纳米管（CNT）技术的创新使用。 碳纳米管是人类所知的具有最大拉伸强度的材料之一，并有独特的结构和电性能，提供了理想的新一代超快速、超高密度和极低能耗存储器。 一根 CNT只有头发直径的1/50,000，这些微细圆柱体的拉伸强度却是钢的50倍，密度仅为铝的一半，导热与导电性优越于科学家如今所知的任何其他材料。
CNT 的优势一直在行业内被吹捧，而 Nantero 是首家在 CMOS 制造设施生产中采用此种技术开发半导体产品的公司。 此突破性成就现在作为公司领先专利组合的一部分而受到保护，此专利组合包括迄今为止已申请的 170 多项美国专利和正在申请的 200 多项专利。
NRAM 的优势
Nantero 的 NRAM 速度可以与 DRAM 相媲美，但是密度高于 DRAM，其非易失性又和闪存一样出色，在待机模式下功耗几乎为零，每位元的写入能量比闪存低 160 倍，并且对环境因素（甚至达到摄氏 300 度的高温、寒冷、磁性、辐射、振动）有高耐受性。 NRAM 可以与现有的 CMOS 制造设施相兼容，而无需配备任何新工具或流程，并且其可扩展性甚至低于 5 纳米。 因为它只需要少量的流程步骤并且只有一个遮罩层，所以 NRAM 的制造成本很低，并且可以和 3D 多层体系结构和 MLC 操作相兼容。 这就使得 NRAM 成为独立和嵌入式应用程序下一代存储技术的理想解决方案。
NRAM 技术
NRAM 基于形成的存放在标准硅衬底的 CNT 薄层，包含接合到 NRAM 开关的隐含单元选择设备和排板线（典型地晶体管或二极管）。 图 1 是根据它们的位置可以接触或稍微分开的交叉纳米管的沉积膜（或纤维）SEM 图像。
NRAM 作为一种电阻式非易失性随机存储器 NVRAM，根据 CNT 纤维的阻力状态可以放置在两种或以上电阻模式。 当 CNT 没有接触时，纤维的电阻状态高并显示“0”状态（见 图2）。 当 CNT 接触时，纤维的电阻状态低并显示“1”状态。
图 1
图 2