Nantero 已完成 3000 多万美元的系列 E 投资;其下一代存储器 NRAM 现安装于全球多个生产制造设施中。

无限伸缩性:可缩至 5 纳米以下,在不远的将来实现万亿比特级的存储器
久经考验的技术:多年成功用于大批量生产 CMOS 制造设施中。
令人惊叹的未来产品:虚拟屏幕、下一代企业系统、卷曲平板电脑、即时手提电脑、需要大量快速存储器的其他产品。
马萨诸塞州沃本 – 2015 年 6 月 2 日 – 碳纳米管电子元件的全球领导者 Nantero 今日宣布,其已完成了一轮 3150 万美元的系列 E 融资,其中包括新的投资者与现有投资者 Charles River Ventures、Draper Fisher Jurvetson、Globespan Capital Partners 和 Harris & Harris Group 的参与。 这轮大幅超额认购凸显了 Nantero 的持续成功。其已推出超快速、超高密度的新一代存储器Nantero’s NRAM®(非易失性随机存储器),可在消费类电子产品和企业电子产品中打造各种令人惊叹的新功能和产品。
Nantero 的 NRAM 已安装于多个生产制造设施中,现正设计于需要多储存空间、低功耗、高速、可靠性和高耐久性的创新型电子产品中,标志着存储器新时代的到来。 公司拟启用其新的融资,继续加快 NRAM 成为下一代领先存储器的步伐,用于储存级内存并取代 DRAM 和闪存。
“Nantero NRAM 的推出意味着人们对新一代超快速、高密度的非易失性存储器的等待已经结束。” Nantero 公司的联合创始人。董事长兼 CEO Schmergel 说道,“我们的技术现已在多个世界级的制造设施中进行研发,还有十几间大型公司合作伙伴正积极开展 NRAM 的研究工作。 我们很高兴能够开启商业化的下一阶段, 这会使 Nantero 的 NRAM 投入量产,并改变电子产品创新在未来几十年的发展进程。”
新加入的公司顾问
为突显行业人士对 NRAM 的不断支持,Nantero 还在今天宣布公司即将新加入两位重量级顾问,其中一位为 Stefan Lai 博士,他曾担任英特尔公司的高级主管,合作发明了 EPROM 穿隧氧化层 (ETOX) 闪存储存单元,并曾负责英特尔公司的相变化存储器 (PCM) 团队。 1998 年,Lai 先生因其对硅 MOS 接口属性的研究和闪存 EPROM 存储器的开发而被嘉奖为 IEEE 会士,并因其对闪存的贡献,而荣获 2008 IEEE Andrew Grove
奖。
“Nantero 的 NRAM 具有独特的属性:闪存的非易失性、DRAM 的速度与功能,以及较低的成本,使之成为最有希望荣登近乎理想存储器宝座的候选产品” ,Nantero 新加入的顾问 Stefan Lai 说道, “公司拥有制胜所需的技术、专业知识、深厚的客户支持以及广泛的专利组合。这轮新的融资会向他们提供财务资源,确保其获得长期成功,并促使 NRAM 技术不断取得进步。”
加入 Nantero 顾问委员会的还有 Yaw Wen Hu 博士,其为 Inotera Memories 的前执行副总裁兼现董事会成员,监管新 DRAM 技术转移和晶圆级封装的开发。 在此之前,Hu 博士担任 Silicon Storage Technology (SST) 的执行副总裁兼首席运营官,负责 SuperFlash 技术开发,从全新的存储器单元概念到大容量产品发运,与各个团队合作,将此技术确立为嵌入式闪存应用技术的选项。
Nantero 的 NRAM︰存储器的未来
如果能够提供速度高于 NAND 100 倍的新一代存储器,就能带来万亿比特的储存容量,同时消耗非常少的功率,并且能够改变电子产品的未来。 Nantero 的 NRAM 拥有所有的这些突破性特征。 Nantero 针对独立式与嵌入式存储器市场,已将其 NRAM IP 授权至全球主要芯片制造商、铸造厂和电子企业。
Nantero 的 NRAM 针对消费类电子产品、移动计算、可穿戴设备、企业储存、汽车等各种市场,相比其他存储器技术,提供的主要优势 包括:
与 CMOS 兼容︰适用于标准 CMOS 制造设施,无需配备新设备
无限伸缩性︰可在未来设计为缩至 5 纳米以下
高耐久性︰经验证,其操作数量级高于闪存
读写更快︰可与 DRAM 媲美,是 NAND 的 100 倍
高可靠性︰在摄氏 85 度时可保存存储器 1,000 多年,在摄氏 300 度时可保存 10 多年
低功耗︰在待机模式下功耗几乎为零,每比特的写入能量比 NAND 低 160 倍
低成本︰结构简单,可为 3D 多层与多阶储存单元 (MLC)
Nantero 的 NRAM 充分利用纳米技术的尖端研究和碳纳米管技术的创新使用。纳米材料被誉为人类已知最强材料之一。 一根 CNT 仅为头发直径的 1/50,000,这些微细圆柱体的强度是钢的 50 倍,密度仅为铝的一半,导热与导电性优于科学家如今已知的任何其他材料 做为纳米技术的先驱,Nantero 是首家采用此材料在生产 CMOS 制造设施中积极开发半导体产品的公司。 此突破性成就作为公司领先碳纳米管电子产品专利组合的一部
分,受到专利保护。这项专利组合包括迄今为止已申请的 175 多项美国专利和正在申请的 200 多项专利。
支持引述︰
AlanNiebel,Webfeet Research 的创立者兼 CEO,
“随着速度极快的存储技术的使用,可在将来提供数万亿位元的存储容量,同时功耗很低,有潜力可以改变电子产品的未来。 在研究 NRAM 十二年多时间后,WebFeet 大为赞赏 Nantero 在过去两年中能够将 NRAM 芯片中的 CNT 成本降低 10 倍、实现 NRAM CMOS 的兼容性并最终证明 NRAM 能够为被授权人提供商业生产能力。”
Jim Handy,Objective Analysis 总监
“Nantero 在将新一代存储器推上市场中所取得的进展给我们留下了深刻的印象。 毫无疑问,这种快速的非易失性存储器是一种宝贵的资产,并且 Nantero 对碳纳米管技术的使用大有发展前途,当根深蒂固的技术达到规模极限时,此技术可用做后继技术。”
Greg Wong,Forward Insights 创立者兼首席分析师
“这种少有的技术可将研究实验室转变成高容量的 CMOS 生产设施。 NRAM 高速与高耐就性的独特结合,确保能够生产出适用于大量消费者和企业应用的创新产品。”
Michael Yang,IHS Technology 内存和存储资深总监
“行业已经开始感觉到目前的存储技术遇到性能障碍并且无法进一步发展的影响。 Nantero 的 NRAM 具有填补此缺憾的巨大潜力,可让制造商提供新的存储架构,并且设计体积更小、速度更快且更具创新性的含有大量存储的产品。”
Yann de Charentenay,YoleDéveloppement 高级技术和市场分析师
“在 YoleDéveloppement 2015 年 1 月的新兴非易失性存储器技术和市场趋势报告中,我们发现此市场在 2014 年价值 6500 万美元。 然而,它现在正处于十字路口。 行业领导者在未来两年选择适用于新兴 NVM 的 STTMRAM、RRAM、NRAM 和其他技术,以解决传统 DRAM 和闪存的延展性和/或速度限制。 在这种情况下,Nantero的最新 NRAM 技术成果让 Yole Développement 激动不已。 Nantero 的技术实现了 STTMRAM 的优异效能,同时潜在地降低了 RRAM 的成本。 在 Yole Développement,我们渴望看到此技术的未来延展性 —— 能够帮助它锁定主流存储应用并取代 DRAM 和闪存。”
Bruce Sachs,CRV 的普通合伙人
“此新一轮发展验证了我们预见到的 NRAM 会成为存储器行业下一个重大突破的潜力。 Nantero 是许多大型客户等待来推动下一波消费类电子产品和企业运算与储存创新的公
司。”
Yaw Wen Hu 博士,Nantero 顾问
“Nantero 的突破性不仅在于开发了拥有出色效能的新一代存储装置,还在于其成功地将 NRAM 应用到现有 CMOS 制造设施中,且无需使用新设备。 这是一项巨大的成就,可为实现消费者和企业应用中令人惊喜的新功能和产品铺平了道路。”

其他资源:
Nantero 企业宣传视频
图库︰产品与技术图片
Nantero 网站
关于Nantero
作为碳纳米管电子元件的全球领导者,Nantero 已开发出新一代存储器 NRAM™(非易失性随机存储器),可在消费电子产品和企业电子产品中打造各种令人惊叹的新功能和产品。 这种新型超快速、超高密度的存储器可以取代单芯片中的 DRAM 和闪存,或可将新应用程序用作存储级存储器,同时具有推动下一波电子产品创新所需的低功耗、高速度、可靠性和耐久性特征。 访问 Nantero 网址︰www.nantero.com,或在 Twitter@nantero上关注 Nantero。
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更多信息:
Kelly Karr
Nantero 公共关系
Kelly@nantero.com
版权所有 2015Nantero,Inc. 保留所有权利。 Nantero 和 Nantero 标志是 Nantero, Inc. 的商标和/或注册商标。

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